Антимонид индия (InSb) — полупроводниковый материал для ИК-техники

Уникальные свойства антимонида индия

Антимонид индия (InSb) — полупроводник типа AIIIBV с узкой запрещенной зоной, отличающийся рекордной подвижностью электронов. Эти свойства делают его незаменимым материалом для создания высокочувствительных инфракрасных детекторов и прецизионных датчиков магнитного поля.

Ключевые характеристики:

Подвижность электронов: ~78000 см²/В·с при 300K
Ширина запрещенной зоны: 0.17 эВ (300K)
Длина волны среза: ~7 мкм
Рабочий диапазон температур: 4-500K
Коэффициент Холла: 2.5×10⁻⁸ м³/Кл

Основные области применения InSb

Инфракрасная оптика: матрицы и детекторы для тепловизоров
Датчики Холла: прецизионные сенсоры магнитного поля
Фотоприемники: высокочувствительные ИК-детекторы
Научные исследования: эксперименты в физике полупроводников
Квантовая электроника: элементы спиновой электроники

Наша продукция на основе InSb

Мы предлагаем полный цикл поставок:

Монокристаллические слитки InSb
Полированные пластины различной ориентации
Готовые ИК-детекторы и фотоприемники
Датчики Холла (включая модель ИХП-2)
Полуфабрикаты для дальнейшей обработки

Дочерние продукты и решения

Сенсоры Холла ИХП-2 — сверхчувствительные датчики магнитного поля
ИК-фотоприемники для спектрального диапазона 3-5 мкм
Оптические элементы для ИК-спектрометров

Нужны монокристаллы InSb или готовые изделия?

Наши специалисты помогут подобрать оптимальное решение под ваши задачи. Запросить расчет

Полированные пластины InSb для ИК-оптики и других приложенийАНТИМОНИД ИНДИЯ (INSB) НЕЛЕГИРОВАН , ПОЛУПРОВОДНИК. ЧИСТОТЫ 99.9995%. СОДЕРЖАНИЕ ИНДИЯ (IN) 48.5% ВЕС., СУРЬМЫ (SB) — 51.5% ВЕС.

ориентация [111] В 16' (и др.)

шероховатость рабочей поверхности Rz <0,05 мм

площадь S -6,6 см2

диаметр 30 мм

толщина 600 мкм

количество 100 шт.

Параметры исходного материала соответствуют ТУ 48 -4 292-85

Антимонид индия (InSb)

Описание применения

Монокристаллы антимонида индия находят применение в производстве гальваномагнитных приборов, оптоэлектронных приборов для контроля окружающей среды, а также в военной технике (индивидуальные и матричные приемники излучения для средней области ИК-спектра).

Высокая подвижность носителей заряда и узкая запрещённая зона позволяют создавать на основе InSb высокочувствительные датчики магнитного поля. Гальваномагнитные устройства, изготовленные из монокристаллов InSb, находят применение в качестве бесконтактных выключателей, датчиков положения и тока, а также в измерительных приборах для определения магнитных полей различной интенсивности.

В оптоэлектронике InSb востребован благодаря своей способности эффективно поглощать и излучать свет в средневолновом инфракрасном диапазоне (3-5 мкм). Это делает его идеальным материалом для создания фотодиодов, лазеров и других оптоэлектронных компонентов, используемых в системах экологического мониторинга для обнаружения загрязняющих веществ в атмосфере и контроля промышленных выбросов.

В оборонной промышленности монокристаллы InSb применяются в качестве детекторов инфракрасного излучения, способных обнаруживать тепловые сигнатуры объектов на больших расстояниях. Единичные и матричные детекторы на основе InSb используются в тепловизорах, системах наведения ракет и других оборонных технологиях, требующих высокой чувствительности и быстродействия.