Монокристаллический карбид кремния (SiC)
для применений в оптоэлектронике и изготовления оптических зеркал
Диаметр 50.8 мм, 76.2 мм и 100 мм
|
Упаковка
|
|
Индивидуальный контейнер
|
Для оптоэлектронных применений
Светодиоды и УФ светодиоды
УФ детекторы
| Параметр |
Значение
|
|
Политип
|
4Н |
| Диаметр, мм |
50.8, 76.2, 100
|
| ± 0.25 | |
| Толщина, мм |
0.3-0.45 ± 0.03
|
| Легирующая примесь | n-тип: азот |
|
Плотность микропор, см-2
|
< 0.2
|
|
Ориентация пластины, ± °
|
4 ± 0.5 от оси (0001)
|
|
Обработка поверхности Si
|
epi-ready |
|
Длина базового среза, мм
|
22-32.5 ± 2
|
|
Ориентация базового среза, ± °
|
<11-20> ± 5
|
|
Длина вспомогательного среза, мм
|
11 ± 2
|
|
Ориентация вспомогательного среза, ± °
|
Si-сторона: 90±5 по часовой стрелке от базового среза |
|
Удельное сопротивление, Ом *см
|
≤ 0.03 |
Для оптических зеркал
Сканирующие системы Мощные
лазерные системы
Диаметр, мм
до 100
Толщина, мм
до 30
Форма рабочей
поверхности
плоская, сферическая
до λ/20 (при λ=632.8 нм)
λ/10 (при λ=632.8 нм) при
Точность рабочей
поверхности (RMS)
соотношении диаметра и
толщины 1 к 20
Класс чистоты рабочей
поверхности по ГОСТ
до 0-10
11141-84
Шероховатость рабочей
поверхности Ra, нм
0.5
Температурный
коэффициент линейного
4,3×106
расширения α, K-1
Коэффициент
теплопроводности λ, Вт/
4-4.5
(cм×К)
Модуль упругости Е,
ГПа
420
Показатель преломления
2.65
Твердость по
9
сошлифовыванию
3
Плотность, г/см
3.21
Упаковка
Индивидуальный
контейнер