Графен
Высококачественные пленки графена на подложках карбида
кремния (SiC) для оптоэлектронных применений
Спецификация
Материал
Эпитаксиальный графен на SiC
Метод роста
Термодеструкция поверхности
SiC
Политип подложки
4Н
Лицевая сторона
Si (0001)
Размер образца
5х5 мм, 11х11 мм
Покрытие поверхности SiC
графеном
100%
Покрытие поверхности SiC
монослойным графеном
90-95%
Средняя шероховатость
поверхности (RMS)
0.5-1 нм
Тип проводимости
n
Сопротивление пленки
2-4 кОм
3D АСМ топография пленки графена на SiC
Микро-Рамановская спектроскопия пленки графена на SiC