Ваш браузер устарел. Рекомендуем обновить его до последней версии.


Складской запас отсутствует, онлайн производство.

пленки графена на подложках карбида кремния (SiC) 

Карбид кремния монокристалл

Монокристаллический карбид кремния (SiC)

для применений в оптоэлектронике и изготовления оптических зеркал
Диаметр 50.8 мм, 76.2 мм и 100 мм
 
Упаковка
Индивидуальный контейнер
 

 Для оптоэлектронных применений

Светодиоды и УФ светодиоды
УФ детекторы
Параметр
Значение
   
Политип
   
Диаметр, мм
50.8, 76.2, 100
  ± 0.25
   
Толщина, мм
0.3-0.45 ± 0.03
   
Легирующая примесь n-тип: азот
   
Плотность микропор, см-2
< 0.2
   
Ориентация пластины, ± °
4 ± 0.5 от оси (0001)
   
Обработка поверхности Si
epi-ready
   
Длина базового среза, мм
22-32.5 ± 2
   
Ориентация базового среза, ± °
<11-20> ± 5
   
Длина вспомогательного среза, мм
11 ± 2
   
Ориентация вспомогательного среза, ± °
 Si-сторона: 90±5 по часовой стрелке от базового среза
   
Удельное сопротивление, Ом *см
≤ 0.03

 

 

Для оптических зеркал

Сканирующие системы Мощные
лазерные системы
 
Диаметр, мм
до 100
Толщина, мм
до 30
Форма рабочей
поверхности
плоская, сферическая
до λ/20 (при λ=632.8 нм)
λ/10 (при λ=632.8 нм) при
Точность рабочей
поверхности (RMS)
соотношении диаметра и
толщины 1 к 20
Класс чистоты рабочей
поверхности по ГОСТ
до 0-10
11141-84
Шероховатость рабочей
поверхности Ra, нм
0.5
Температурный
коэффициент линейного
4,3×106
расширения α, K-1
Коэффициент
теплопроводности λ, Вт/
4-4.5
(cм×К)
Модуль упругости Е,
ГПа
420
Показатель преломления
2.65
Твердость по
9
сошлифовыванию
3
Плотность, г/см
3.21
Упаковка
Индивидуальный
контейнер

Поделиться