Ваш браузер устарел. Рекомендуем обновить его до последней версии.

Складской запас отсутствует, онлайн производство.

пленки графена на подложках карбида кремния (SiC) 

Карбид кремния монокристалл
Содержание

Монокристаллический карбид кремния (SiC)

для применений в оптоэлектронике и изготовления оптических зеркал
Диаметр 50.8 мм, 76.2 мм и 100 мм
 
Упаковка
Индивидуальный контейнер
 

 Для оптоэлектронных применений

Светодиоды и УФ светодиоды
УФ детекторы
Параметр
Значение
   
Политип
   
Диаметр, мм
50.8, 76.2, 100
  ± 0.25
   
Толщина, мм
0.3-0.45 ± 0.03
   
Легирующая примесь n-тип: азот
   
Плотность микропор, см-2
< 0.2
   
Ориентация пластины, ± °
4 ± 0.5 от оси (0001)
   
Обработка поверхности Si
epi-ready
   
Длина базового среза, мм
22-32.5 ± 2
   
Ориентация базового среза, ± °
<11-20> ± 5
   
Длина вспомогательного среза, мм
11 ± 2
   
Ориентация вспомогательного среза, ± °
 Si-сторона: 90±5 по часовой стрелке от базового среза
   
Удельное сопротивление, Ом *см
≤ 0.03

 

 

Для оптических зеркал

Сканирующие системы Мощные
лазерные системы
 
Диаметр, мм
до 100
Толщина, мм
до 30
Форма рабочей
поверхности
плоская, сферическая
до λ/20 (при λ=632.8 нм)
λ/10 (при λ=632.8 нм) при
Точность рабочей
поверхности (RMS)
соотношении диаметра и
толщины 1 к 20
Класс чистоты рабочей
поверхности по ГОСТ
до 0-10
11141-84
Шероховатость рабочей
поверхности Ra, нм
0.5
Температурный
коэффициент линейного
4,3×106
расширения α, K-1
Коэффициент
теплопроводности λ, Вт/
4-4.5
(cм×К)
Модуль упругости Е,
ГПа
420
Показатель преломления
2.65
Твердость по
9
сошлифовыванию
3
Плотность, г/см
3.21
Упаковка
Индивидуальный
контейнер

Поделиться