Ваш браузер устарел. Рекомендуем обновить его до последней версии.

Подложки

на складе в наличии

ВК-100 ПОЛИКОР

60х48х1 1ст 500 шт.

60х48х1 2ст 200 шт.

60х48х0,25 2ст 100 шт.

 

Ситалловые подложки

ПГКЖ431.431.003 ТУ;

СТ50-1-1  1 мм

СТ50-1-1-0,6 мм          СТ50-1-2 0,6 мм 

СТ50-1-3 0,6 мм  

СТ32-1 1 мм - 1400 шт.

 

ВК94-1(22ХС) 60х48х1 мм дш 400 шт.;

ВК94-1 30×48×1 мм дш 500 шт.;

ВK-94 30х24х1 оп мм

4000шт

 Т-150  1000шт з/у

Т-1000 100 шт з/у

СТ50

Услуги

Лазерное скрайбирование, резка, контурная обработка, прошивка отверстий.

Алмазная резка и профилирование.

Шлифовка и полировка.

Металлизация

Подложки СТ50, ВК94, ВК96, ВК100, AlN

Подложки, основания для микросхем

Актуальное наличие складских остатков в блоке справа.

керамические на основе оксида алюминия, на основе оксида бериллия

ситалловые

изоляторы ТКБ 600

теплопроводящие прокладки Al2O3, AIN, BeO

металлизированные

микрополосковые платы

 

 

Широко используются в области оптоэлектроники, силовой электроники, свч техники и для других применений.

 Базовым материалом для производства керамических подложек служит оксид алюминия, в зависимости от технологии изготовления и процентного содержания Al2O3, алюмоксидная керамика распределяется по маркам ВК94, ВК95, ВК96, ВК100 (поликор).

 Нитрид алюминия AlN отличается уникальным сочетанием свойств диэлектрика и  теплопроводности, что при хорошей прочности позволяет использовать этот материал в качестве подложек мощных силовых лазеров и СВЧ полупроводниковых приборов, микросхем, микросборок и многокристальных модулей, термомодулей и подложек мощных светодиодов, везде где требуются высокие диэлектрические характеристики, прочность и теплопроводность материала. 

Характеристики Материал
ВК-94-1 BK-96 BK-100 AIN
(Al₂O₃ 94,4%) (Al₂O₃96%) (Al₂O₃99,6%)  
Физические характеристики
Теплопроводность, Вт/(м•К) 15 25 30-35 180
КТЛР, 10-6/0K (20-1000oC) 6,0-7,9 6,8-8,0 7,2-8,2 4,7-5,6
Диэлектрическая проницаемость (1МГц) 10,3 9,8 9,9 8,9
Тангенс угла диэлектрических потерь (1МГц) 0,0007 0,0003 0,0001 0,0005
Напряжение пробоя, кВ/мм 27 25 25 17
Плотность, кг’м3 3,65 3,72 3,89 3,28
Шероховатость шлифованной поверхности Ra, мкм 0,6-1,0 0,3-0,5 0,08-0,12 0,3-0,5
Шероховатость полированной поверхности Ra, мкм - <0,05 <0,01 <0,05
Толщина, мм стандартная
0, 25 - ✓ ✓ ✓
0, 38 - ✓ По запросу По запросу
0, 50 ✓ ✓ ✓ ✓
0, 63 По запросу ✓ По запросу По запросу
0, 76 По запросу ✓ По запросу По запросу
0, 89 По запросу ✓ По запросу По запросу
1, 0 ✓ ✓ ✓ ✓
1, 5 По запросу ✓ - По запросу
2, 0 По запросу ✓ - ✓
Металлизация
  Технология  прямого присоединения меди – DBC                                                                                   (Cu: 127-500мкм; покрытия Ni, Ni-Au; защитные      покрытия) - ✓ По запросу ✓
         
Технология пайки активными металлами – AMB (Cu: 150-500мкм; покрытия Ni, Ni-Au; защитные покрытия) - - - ✓
Толстопленочная технология (Проводниковые покрытия Ag, Au, Ag-Pd, Ag-Pd-Pt, Ni: 12-100мкм, а также резистивные, диэлектрические и защитные) ✓ ✓ ✓ ✓
Тонкопленочная технология (Проводники Cu, Al: 2-8мкм, покрытия Ni, Au< Ni-Au, пленочные резисторы на основе кремниевых сплаво) ✓ ✓ ✓ ✓

возможно изготовление по более высоким требованиям с увеличением стоимости.

Основные геометрические характеристики Мин. Значение, мм Допуск, мм
Расстояние между линиями скрайбирования 2 ±0.5
Габаритный размер после разлома 2 +0.2/-0.05
Расстояние от края подложки до линии  скрайбироваия/стенки отверстия X5 > толщины подложки +0.15/-0.05
Диаметр отверстия 0,2 ±0.05
Расстояние между стенками соседних отверстий >Толщины подложки ±0.05

 

Ситалловые подложки мы поставляем фиксированных размеров, 

СТ50-1-1-0,4;  СТ50-1-1-0,6;  СТ50-1-1-1 соответствуют техническим условиям ПГКЖ.431.431.003 ТУ

Параметр

Значение

Шероховатость рабочей поверхности Rz – не ниже мкм

0.032

Шероховатость не рабочей поверхности Rz – не ниже мкм

4

Геометрические размеры, мм

60-0,3 × 48-0,3 × 0,6-0,1

Плотность

2,65 г/см3+/-0,05

Микротвердость

705 кгс/мм2

Термостойкость

210 ºС

Диэлектрическая проницаемость E при частоте 1.0 МГц

8,5+/-0,5

Тангенс угла диэлектрических потерь tg d×104 при частоте 1,0 МГц

не более 15

Удельное объемное электрическое сопротивление при температуре 100 ºС

1014 Ом×см

Температурный коэффициент линейного расширения Альфа × 107 К-1 в интервале температур от 20 до 300 ºС

52+/-2,0

Электрическая прочность

47 кВ/мм

Теплопроводность

1,4 Вт/м×К

подложки ситалловые

купить подложки СТ50

подложки ст32

ст50 1 1

ст50 1 1 0 6